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-
C

|

 
/ / /

IF=20 , T=25°C

BT11-21xxx/TR8 : 1206 SMD

BT11-21xxx/TR8 : 1206 SMD   ,

lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT11-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 3 80 120 20
BT11-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 6 300 500
BT11-21 VGC/TR8 GaP 571 2,1 2,4 - 20 80
BT11-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 4 55 160
BT11-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 4 40 160
 


BT12-21xxx/TR8 : SMD

BT12-21xxx/TR8 : SMD      ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT12-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 80 120 120
BT12-21 UBGC/TR8 InGaN/Sic - 505 3,5 4,3 4 150 450
BT12-21 VGC/TR8 GaP 571 2,1 2,4 - 20 80
BT12-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 55 160
BT12-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 40 160
BT12-21 UWC/TR8 GAN - 3,6 4,0 - 200 600
 


BT12-215xxx/TR8 : SMD

BT12-215xxx/TR8 : SMD      ,

lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT12-215 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 40 80 130
BT12-215 UBGC/TR8 InGaN/Sic - 505 3,5 4,3 4 150 300
BT12-215 VGC/TR8 GaP 571 2,1 2,4 - 20 80
BT12-215 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 50 120
BT12-215 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 50 160
BT12-215 UWC/TR8 GAN - 3,6 4,0 - 150 300
 


BT15-21xxx/TR8 : 1206 SMD

BT15-21xxx/TR8 : 1206 SMD,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT15-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 1 36 90 130
BT15-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 3 300 500
BT15-21 VGC/TR8 GaP 571 2,1 2,4 - 20 80
BT15-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 2 55 70
BT15-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 2 36 120
BT15-21 UWC/TR8 GAN - 3,6 4,0 - 160 480
BT15-21 UPC/TR8 GAN - 3,6 4,0 - 200 400
 


BT16-213xxx/TR8 : 0402 SMD

BT16-213xxx/TR8 : 0402 SMD,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT16-213 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589   2,0 2,4 2 15 38  
BT16-213 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 2 15 36 120
BT16-213 UWC/TR8 GAN -   3,6 4,0 - 100 160  
 


BT17-21xxx/TR8 : 0805 SMD

BT17-21xxx/TR8 : 0805 SMD,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT17-21 UBC/C430/TR8 InGaN/SiC 430 3,5 4,3 1 20 50 140
BT17-21 UBC/C470/TR8 GaN 470 3,5 4,3 3 55 100
BT17-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 4 180 420
BT17-21 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4 - 20 80
BT17-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 55 90
BT17-21 UYOC/S530-A2/TR8 AlGaInP 605 2,0 2,4 3 100 160
BT17-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 36 120
BT17-21 UWC/TR8 GaN - 3,6 4,0 - 180 320
BT17-21 UPC/TR8 GaN - 3,6 4,0 - 200 300
 


BT17-215xxx/TR8 : 0805 SMD, 0,6 ,

BT17-215xxx/TR8 : 0805 SMD, 0,6  ,  ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT17-215 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 1 36 120 130
BT17-215 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 3 150 320
BT17-215 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4 - 20 60
BT17-215 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 2 60 140
BT17-215 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 - 30 120
BT17-215 UWC/TR8 GaN - 3,6 4,0 - 180 360
 


BT19-21xxx/TR8 : 0603 SMD, 0,8 ,

BT19-21xxx/TR8 : 0603 SMD, 0,8  ,  ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT19-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 1,0 30 90 100
BT19-21 SUBC/TR8 GaN 470 3,5 4,3 2,0 25 40
BT19-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 3,0 180 400
BT19-21 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4   50 80
BT19-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 2,0 50 160
BT19-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 2,0 36 80
BT19-21 UWC/TR8 GaN   3,6 4,0   200 400
 


BT19-215xxx/TR8 :

BT19-215xxx/TR8 :  ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT19-215 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 1,0 36 90 120
BT19-215 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 3,0 180 400
BT19-215 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4 - 20 80
BT19-215 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 2,0 50 160
BT19-215 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 2,0 36 80
BT19-215 UWC/TR8 GaN   3,6 4,0 - 200 400
 

 

BL-A-5730D20W-S: SMD 5730




, nm
150
.
,
150
.
,
150
 
2q1/2
.
.
BL-A-5730D20W-S
InGaN


x=0,32 y=0,31
8500...11500
3,2
3,5
120


BT67-2301 (5050 = 5x5 ) : SMD 5050

BT67-2301 (5050 = 5x5 ) : SMD,



, nm
20
.
,
20
.
,
20
 
2q1/2
.
.
BT61-2301 SURSURSURC(S)
AIGalnP
624
220x3
2
2,4
130
BT61-2301 UYOUYOUYOC(S) 
AIGalnP
605
220x3
2
2,4
130
BT61-2301 UYUYUYC(S)
AIGalnP
589
260x3
2
2,4
130
BT61-2301 SYGSYGSYGC(S)
AIGalnP
-
572
60x3
2
2,4
130
BT61-2301 UBGUBGUBGC(S)
AIGalnP
-
525
580x3
3,2
3,6
130
BT61-2301 UBUBUBC(S)
InGaN
468
280x3
3,2
3,6
130
BT61-2301 UPUPUPC(S)
InGaN
405(Ap)
10x3
3,2
3,6
120
BT61-2301 UWUWUWC(S)
AIGalnP


x=0,28 y=0,28
2130x3
3,2
3,6
130
BT61-2301 UWUWUWAC(S)
InGaN

x=0,42 y=0,43
2000x3
3,2
3,6
130
BT61-2301 UFUFUFD(S)
InGaN

x=0,38 y=0,18
250x3
3,2
3,6
120

BT99-2160 : PLCC 020

PLCC020



, nm
20
.
,
20
.
,
20
 
2q1/2
.
.
BT99-2160SURC(S)
AIGalnP
624
220
2
2,4
110
BT99-2160UYOC(S)
AIGalnP
605
220
2
2,4
120
BT99-2160UYC(S)
AIGalnP
589
220
2
2,4
120
BT99-2160SYGC(S)
AIGalnP
-
572
60
2
2,4
110
BT99-2160UBGC(S)
InGaN
-
525
650
3,2
3,6
120
BT99-2160UBC(S)
InGaN
468
220
3,2
3,6
110
BT99-2160UPC(S)
InGaN
405(Ap)
8
3,2
3,6
120
BT99-2160UWC(S)
InGaN


x=0,28 y=0,28
1500
3,2
3,6
110
BT99-2160UWAC(S)
InGaN

x=0,42 y=0,43
1400
3,2
3,6
120
BT99-2160UFD(S)
InGaN

x=0,38 y=0,18
220
3,2
3,6
120


BT67-21xxx/TR8 : SMD 3528

 

BT67-21xxx/TR8 : SMD,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT67-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 80 160 120
BT67-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 6 300 800
BT67-21 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4 - 15 25
BT67-21 UGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4 - 40 80
BT67-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 4 60 180
BT67-21 UYOC/S530-A2/TR8 AlGaInP 605 2,0 2,4 4 100 200
BT67-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 4 80 200
BT67-21 UWC/TR8 GaN - 3,6 4,0 - 200 700
 


BT93-21xxx/TR8 : SMD c

BT93-21xxx/TR8 : SMD c ,
lD, nm
VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT93-21 UBC/C470/TR8 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 30 80 130
BT93-21 UBGC/TR8 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 5 140 270
BT93-21 VGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4   15 25
BT93-21 UGC/TR8 GaP - 571 2,1 2,4   60 120
BT93-21 UYC/S530-A2/TR8 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 40 120
BT93-21 UYOC/S530-A2/TR8 AlGaInP 605 2,0 2,4 3 40 80
BT93-21 SURC/S530-A2/TR8 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 60 120
 


BT94-22 : c

BT94-22 :   c ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT94-22 UBC/C470 InGaN/SiC 470 7 9 2 27 34 130
BT94-22 UBGC InGaN/SiC - 505 7 9 8 77 133
BT94-22 VGC GaP - 571 2 2   22 35
BT94-22 UYC/S530-A2 AlGaInP 589 4 5 6 38 94
BT94-22 UYOC/S530-A2 AlGaInP 605 4 5 6 38 94
BT94-22 SURC/S530-A2 AlGaInP 624 4 5 5 38 91
 


BT94-22 : c

BT94-22 :   c ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT94-22 UBC/C470/S2 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 24 30 130
BT94-22 UBGC/S2 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 5 46 79
BT94-22 VGC/S2 GaP - 571 2,1 2,4   22 35
BT94-22 UYC/S530-A2/S2 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 22 56
BT94-22 UYOC/S530-A2/S2 AlGaInP 605 2,0 2,4 3 22 56
BT94-22 SURC/S530-A2/S2 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 22 54
 


BT96-22 : c

BT96-22 :   c ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT96-22 UBC/C470 InGaN/SiC 470 7,0 8,6 2 21 26 145
BT96-22 UBGC InGaN/SiC - 505 7,0 8,6 6 26 97
BT96-22 VGC GaP - 571 2,1 2,4 - 20 30
BT96-22 UGC GaP - 571 2,1 2,4 - 25 40
BT96-22 UYC/S530-A2 AlGaInP 589 4,0 4,8 4 27 68
BT96-22 UYOC/S530-A2 AlGaInP 605 4,0 4,8 4 27 68
BT96-22 SURC/S530-A2 AlGaInP 624 4,0 4,8 4 27 66
 


BT97-22 : c

BT97-22 :   c ,
lD, nm VF (V) IF=20 Iv mcd

IF=2

IF=10
2q1/2
. . . . .
BT97-22 UBC/C470/S2 InGaN/SiC 470 3,5 4,3 2 25 32 145
BT97-22 UBGC/S2 InGaN/SiC - 505 3,5 4,3 5 44 75
BT97-22 VGC/S2 GaP - 571 2,1 2,4   10 16
BT97-22 UYC/S530-A2/S2 AlGaInP 589 2,0 2,4 3 21 53
BT97-22 UYOC/S530-A2/S2 AlGaInP 605 2,0 2,4 3 21 53
BT97-22 SURC/S530-A2/S2 AlGaInP 624 2,0 2,4 3 21 52
 
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